-
27.11.2013 10:13
Совместные разработки MRAM микросхем США и Японией
Свыше 20 японских и американских производителей микросхем договорились о создания совместной разработки технологии, которая положила бы начало серийному производству микросхем MRAM памяти нового поколения.
Отметим, что основой в разработке будут две компании, по одной из каждой страны. Американская Micron Technology и японская Tokyo Electron. Согласно планам, разработку планируют закончить в течении трех лет, таким образом массовое производство чипом может быть начато уже к 2018 году.
Напомним, что чипы MRAM (магниторезистивная оперативная память) являются запоминающим устройством с произвольным доступом, которое хранит информацию при помощи магнитных элементов памяти, а не электрических зарядов.
Такой принцип хранения данных выгодно отличает ее от лидирующих на рынке электроники флэш или DRAM (динамическая память с произвольным доступом) памяти.
Новая технология даст возможность увеличить объемы памяти в десятки раз по сравнению с DRAM, а также уменьшить потребление энергии питания в 2/3 существующего. Как видим потенциал памяти большой, особенно в использование в ноутбуках или смартфонах. Ремонт ноутбуков Toshiba, а также других марок можно осуществить обратившись в mosplazma.ru.
Кроме того, если сравнить ее с флэш-памятью, MRAM так же выигрывает в быстроте и не страдает деградацией по прошествии времени. Эта комбинация свойств может сделать ее «универсальной памятью».
Отметим также, что на сегодня наблюдается стремительный рост на объемы хранящейся памяти и быстродействие элементов памяти. Именно поэтому сейчас существует так много различных исследований, направленных на разработку именно MRAM.
